愚愚学园 外文期刊互助高难文献攻关 A Gate-All-Around Tunneling Field-Effect Transistor with SiO2 Core and Si Shell Structure

wingwing

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楼主发表于: 2015-01-08 16:38

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A Gate-All-Around Tunneling Field-Effect Transistor with SiO2 Core and Si Shell Structure

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    【篇号】
    【作者】（必须） Xiaomeng He, Min Shi
    【文章标题】（必须）A Gate-All-Around Tunneling Field-Effect Transistor with SiO2 Core and Si Shell Structure
    【期刊名，年份，卷（期），起止页*****】Journal of Computational and Theoretical Nanoscience
    【全文链接】http://chinesesites.library.ingentaconnect.com/content/asp/jctn/2014/00000011/00000008/art00017?token=004c1fe97cdd6ff2c4817a85a666f3a7b6c42403842554763473b3f6a49266d652f096575db6

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